casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI1400DL-T1-E3
Número de pieza del fabricante | SI1400DL-T1-E3 |
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Número de parte futuro | FT-SI1400DL-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI1400DL-T1-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.6A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 1.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 568mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-70-6 (SOT-363) |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1400DL-T1-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI1400DL-T1-E3-FT |
ZDX130N50
Rohm Semiconductor
DMN90H8D5HCT
Diodes Incorporated
DMT10H010LCT
Diodes Incorporated
DMT6009LCT
Diodes Incorporated
DMN95H8D5HCT
Diodes Incorporated
PSMN5R0-80PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN4R5-40PS,127
Nexperia USA Inc.
DMT6005LCT
Diodes Incorporated
PSMN2R2-40PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN8R0-40PS,127
Nexperia USA Inc.
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel