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Diodes Incorporated DMN95H8D5HCT

Name: DMN95H8D5HCT
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN95H8D5HCT
Price: 1.168 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (438 reviews)

Número de pieza de MFG: DMN95H8D5HCT

Cantidad disponible: 72480 Piezas

Precio de referencia: USD 1.168

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fabricante: Diodes Incorporated

Breve descripción: - MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: DMN95H8D5HCT.pdf

DMN95H8D5HCT Presupuesto

Número de pieza del fabricante	DMN95H8D5HCT
Número de parte futuro	FT-DMN95H8D5HCT
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DMN95H8D5HCT Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	950V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.5A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	7.9nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	470pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / Caja	TO-220-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN95H8D5HCT Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	DMN95H8D5HCT-FT

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