casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDG361N
Número de pieza del fabricante | FDG361N |
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Número de parte futuro | FT-FDG361N |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDG361N Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 600mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 600mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 153pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 420mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-88 (SC-70-6) |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDG361N Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDG361N-FT |
TK8A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8A65W,S5X
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TK9A65W,S5X
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ZDX130N50
Rohm Semiconductor
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Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
DMN95H8D5HCT
Diodes Incorporated
PSMN5R0-80PS,127
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PSMN4R5-40PS,127
Nexperia USA Inc.
XC7A100T-2FTG256I
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APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
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XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel