casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDG361N
Número de pieza del fabricante | FDG361N |
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Número de parte futuro | FT-FDG361N |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDG361N Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 600mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 600mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 153pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 420mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-88 (SC-70-6) |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDG361N Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDG361N-FT |
TK8A60W,S4VX
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LFE3-35EA-7LFN484I
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LCMXO3LF-1300E-5MG121I
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5CGXFC7C6U19A7N
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