casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI1402DH-T1-E3
Número de pieza del fabricante | SI1402DH-T1-E3 |
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Número de parte futuro | FT-SI1402DH-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI1402DH-T1-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.7A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 950mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-70-6 (SOT-363) |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1402DH-T1-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI1402DH-T1-E3-FT |
DMT6009LCT
Diodes Incorporated
DMN95H8D5HCT
Diodes Incorporated
PSMN5R0-80PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN4R5-40PS,127
Nexperia USA Inc.
DMT6005LCT
Diodes Incorporated
PSMN2R2-40PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN8R0-40PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN1R6-30PL,127
Nexperia USA Inc.
PSMN2R0-30PL,127
Nexperia USA Inc.
DMTH6005LCT
Diodes Incorporated
M2GL025-1FG484I
Microsemi Corporation
APA600-BG456M
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
A3P400-1FG256
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4L
Intel
10CL080YF780C6G
Intel