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Diodes Incorporated DMTH6009LK3Q-13

Número de pieza de MFG
DMTH6009LK3Q-13
Cantidad disponible
43350 Piezas
Precio de referencia
USD 0.505296
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fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
- MOSFET N-CH 60V 14.2A TO252
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-DMTH6009LK3Q-13
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
DMTH6009LK3Q-13 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 14.2A (Ta), 59A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 33.5nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1925pF @ 30V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 3.2W (Ta), 60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252
Paquete / Caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMTH6009LK3Q-13 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto DMTH6009LK3Q-13-FT

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