casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMTH6009LK3Q-13
Número de pieza del fabricante | DMTH6009LK3Q-13 |
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Número de parte futuro | FT-DMTH6009LK3Q-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMTH6009LK3Q-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 14.2A (Ta), 59A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 13.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 33.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1925pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.2W (Ta), 60W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252 |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMTH6009LK3Q-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMTH6009LK3Q-13-FT |
DMP210DUFB4-7
Diodes Incorporated
DMP31D0UFB4-7B
Diodes Incorporated
DMN26D0UFB4-7
Diodes Incorporated
DMN2005LP4K-7
Diodes Incorporated
DMN2990UFA-7B
Diodes Incorporated
DMN32D2LFB4-7
Diodes Incorporated
DMN3730UFB4-7
Diodes Incorporated
DMP22D4UFA-7B
Diodes Incorporated
DMN2320UFB4-7B
Diodes Incorporated
DMN2500UFB4-7
Diodes Incorporated
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel