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Diodes Incorporated DMG6402LVT-7

Número de pieza de MFG
DMG6402LVT-7
Cantidad disponible
24180 Piezas
Precio de referencia
USD 0.07848
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fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
- MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-DMG6402LVT-7
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
DMG6402LVT-7 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 6A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 11.4nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 498pF @ 15V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1.75W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor TSOT-26
Paquete / Caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMG6402LVT-7 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto DMG6402LVT-7-FT

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