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Diodes Incorporated DMN6013LFGQ-7

Name: DMN6013LFGQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN6013LFGQ-7
Availability: InStock
Rating: 4.9 (24 reviews)

Número de pieza de MFG: DMN6013LFGQ-7

Cantidad disponible: 63170 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Diodes Incorporated

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101 MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: DMN6013LFGQ-7.pdf

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DMN6013LFGQ-7 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	DMN6013LFGQ-7
Número de parte futuro	FT-DMN6013LFGQ-7
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
DMN6013LFGQ-7 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	10.3A (Ta), 45A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	55.4nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2577pF @ 30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerDI3333-8
Paquete / Caja	8-PowerVDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN6013LFGQ-7 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	DMN6013LFGQ-7-FT

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