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Diodes Incorporated DMN3029LFG-7

Name: DMN3029LFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3029LFG-7
Availability: InStock
Rating: 4.8 (761 reviews)

Número de pieza de MFG: DMN3029LFG-7

Cantidad disponible: 79490 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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fabricante: Diodes Incorporated

Breve descripción: - MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: DMN3029LFG-7.pdf

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DMN3029LFG-7 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	DMN3029LFG-7
Número de parte futuro	FT-DMN3029LFG-7
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DMN3029LFG-7 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	5.3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18.6 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.8V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	11.3nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	580pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerDI3333-8
Paquete / Caja	8-PowerWDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN3029LFG-7 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	DMN3029LFG-7-FT

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