casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1011G30-10BAJXE
Número de pieza del fabricante | CY7C1011G30-10BAJXE |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1011G30-10BAJXE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1011G30-10BAJXE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 2Mb (128K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.2V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-FBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1011G30-10BAJXE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1011G30-10BAJXE-FT |
CY62157EV30LL-45BVXA
Cypress Semiconductor Corp
CY62157H30-45BVXA
Cypress Semiconductor Corp
CY62157H30-45BVXAT
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CY62167G30-45BVXA
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CY62167G30-45BVXAT
Cypress Semiconductor Corp
CY62167G30-55BVXE
Cypress Semiconductor Corp
CY62167G30-55BVXET
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CY7C1051H30-10BV1XE
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CY7C1051H30-10BV1XET
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1061G30-10BV1XET
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