casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY62157H30-45BVXA
Número de pieza del fabricante | CY62157H30-45BVXA |
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Número de parte futuro | FT-CY62157H30-45BVXA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MoBL® |
CY62157H30-45BVXA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 8Mb (512K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 45ns |
Tiempo de acceso | 45ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.2V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-VFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY62157H30-45BVXA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY62157H30-45BVXA-FT |
DS1225AB-70IND+
Maxim Integrated
DS1230AB-200+
Maxim Integrated
DS1225AB-150IND+
Maxim Integrated
DS1230Y-150+
Maxim Integrated
DS1230W-150+
Maxim Integrated
DS1230Y-85+
Maxim Integrated
DS1225AB-85+
Maxim Integrated
DS1225AD-70+
Maxim Integrated
DS1225Y-200IND+
Maxim Integrated
DS1230AB-70+
Maxim Integrated
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel