casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS1230AB-70+
Número de pieza del fabricante | DS1230AB-70+ |
---|---|
Número de parte futuro | FT-DS1230AB-70+ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1230AB-70+ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.75V ~ 5.25V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-EDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1230AB-70+ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS1230AB-70+-FT |
MR2A16AVMA35
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AMA35
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BCMA35
Everspin Technologies Inc.
MR4A08BMA35
Everspin Technologies Inc.
MR4A08BCMA35
Everspin Technologies Inc.
MR256D08BMA45
Everspin Technologies Inc.
MR0A16ACMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AMA35
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AVMA35
Everspin Technologies Inc.