casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1061G30-10BV1XET
Número de pieza del fabricante | CY7C1061G30-10BV1XET |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1061G30-10BV1XET |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1061G30-10BV1XET Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 16Mb (1M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.2V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-VFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1061G30-10BV1XET Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1061G30-10BV1XET-FT |
DS1225Y-200IND+
Maxim Integrated
DS1230AB-70+
Maxim Integrated
DS1225AB-200IND+
Maxim Integrated
DS1225Y-150+
Maxim Integrated
DS1225AD-200+
Maxim Integrated
DS1225AD-150IND+
Maxim Integrated
DS1230AB-120IND+
Maxim Integrated
DS1225AD-85+
Maxim Integrated
DS1225AD-70IND+
Maxim Integrated
DS1225AB-70+
Maxim Integrated
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel