casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS1225AD-200+
Número de pieza del fabricante | DS1225AD-200+ |
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Número de parte futuro | FT-DS1225AD-200+ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1225AD-200+ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 200ns |
Tiempo de acceso | 200ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-EDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1225AD-200+ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS1225AD-200+-FT |
MR4A08BMA35
Everspin Technologies Inc.
MR4A08BCMA35
Everspin Technologies Inc.
MR256D08BMA45
Everspin Technologies Inc.
MR0A16ACMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AMA35
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AVMA35
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AVMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A08ACMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A08AMA35
Everspin Technologies Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel