casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MR2A08AMA35
Número de pieza del fabricante | MR2A08AMA35 |
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Número de parte futuro | FT-MR2A08AMA35 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MR2A08AMA35 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | RAM |
Tecnología | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 35ns |
Tiempo de acceso | 35ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-LFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-FBGA (8x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR2A08AMA35 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MR2A08AMA35-FT |
IDT71124S20YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA10TY
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA10TY8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA10TYGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA10TYGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA10Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA10Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA10YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA10YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA12TY
IDT, Integrated Device Technology Inc
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel