casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MR2A08AMA35
Número de pieza del fabricante | MR2A08AMA35 |
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Número de parte futuro | FT-MR2A08AMA35 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MR2A08AMA35 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | RAM |
Tecnología | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 35ns |
Tiempo de acceso | 35ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-LFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-FBGA (8x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR2A08AMA35 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MR2A08AMA35-FT |
IDT71124S20YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA10TY
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA10TY8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA10TYGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA10TYGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA10Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA10Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA10YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA10YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA12TY
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel