casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1051H30-10BV1XET
Número de pieza del fabricante | CY7C1051H30-10BV1XET |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1051H30-10BV1XET |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1051H30-10BV1XET Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 8Mb (512K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.2V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-VFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1051H30-10BV1XET Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1051H30-10BV1XET-FT |
DS1225AD-70+
Maxim Integrated
DS1225Y-200IND+
Maxim Integrated
DS1230AB-70+
Maxim Integrated
DS1225AB-200IND+
Maxim Integrated
DS1225Y-150+
Maxim Integrated
DS1225AD-200+
Maxim Integrated
DS1225AD-150IND+
Maxim Integrated
DS1230AB-120IND+
Maxim Integrated
DS1225AD-85+
Maxim Integrated
DS1225AD-70IND+
Maxim Integrated
XC2VP70-6FF1517C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F40C3N
Intel
10CX105YF672I6G
Intel
XC7K70T-2FBG484I
Xilinx Inc.
XC7S15-2CPGA196C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35I1SG
Intel
EP20K60EFC324-3N
Intel