casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY62147G30-45BVXI
Número de pieza del fabricante | CY62147G30-45BVXI |
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Número de parte futuro | FT-CY62147G30-45BVXI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MoBL® |
CY62147G30-45BVXI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 45ns |
Tiempo de acceso | 45ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.2V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-VFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY62147G30-45BVXI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY62147G30-45BVXI-FT |
DS1249W-150
Maxim Integrated
DS1249Y-85
Maxim Integrated
DS1230Y-70IND+
Maxim Integrated
DS1230Y-100+
Maxim Integrated
DS1230Y-120+
Maxim Integrated
DS1230AB-120+
Maxim Integrated
DS1225AB-150+
Maxim Integrated
DS1230Y-70+
Maxim Integrated
DS1230W-100+
Maxim Integrated
DS1225AD-200IND+
Maxim Integrated
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel