casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS1230Y-70+
Número de pieza del fabricante | DS1230Y-70+ |
---|---|
Número de parte futuro | FT-DS1230Y-70+ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1230Y-70+ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-EDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1230Y-70+ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS1230Y-70+-FT |
MR0A08BCYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BCYS35
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BCYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR4A08BCYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR4A08BYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A16ATS35C
NXP USA Inc.
MR0A08BCSO35
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BSO35
Everspin Technologies Inc.
XC4020XL-1HT144C
Xilinx Inc.
EX64-TQ100A
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ240
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-3
Intel
10CL016YE144C8G
Intel
5SGXEA4K2F35C2L
Intel
LFE2-20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45I3LG
Intel