casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MR0A08BCYS35R
Número de pieza del fabricante | MR0A08BCYS35R |
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Número de parte futuro | FT-MR0A08BCYS35R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MR0A08BCYS35R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | RAM |
Tecnología | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Tamaño de la memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 35ns |
Tiempo de acceso | 35ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 44-TSOP2 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR0A08BCYS35R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MR0A08BCYS35R-FT |
IDT71024S12Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S15TY
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S15TY8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S15TYI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S15TYI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S15Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S15Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S15YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC2S15-5TQG144I
Xilinx Inc.
XCV100E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
XC5VLX110-2FFG1760I
Xilinx Inc.
10AX115S3F45I2SG
Intel
EP20K200CB652C7ES
Intel
EPF8820AQC160-3
Intel