casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS1230AB-120+
Número de pieza del fabricante | DS1230AB-120+ |
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Número de parte futuro | FT-DS1230AB-120+ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1230AB-120+ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 120ns |
Tiempo de acceso | 120ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.75V ~ 5.25V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-EDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1230AB-120+ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS1230AB-120+-FT |
MR2A16AYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BCYS35
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BCYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BCYS35
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BCYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR4A08BCYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR4A08BYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A16ATS35C
NXP USA Inc.
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel