casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MR0A08BCYS35
Número de pieza del fabricante | MR0A08BCYS35 |
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Número de parte futuro | FT-MR0A08BCYS35 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MR0A08BCYS35 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | RAM |
Tecnología | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Tamaño de la memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 35ns |
Tiempo de acceso | 35ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 44-TSOP2 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR0A08BCYS35 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MR0A08BCYS35-FT |
IDT71024S12Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S15TY
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S15TY8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S15TYI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S15TYI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S15Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S15Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC6SLX100-2FG484I
Xilinx Inc.
EP4S100G2F40I1N
Intel
5SGXMA5H2F35I3LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC6SLX4-2CPG196I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FBG329
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-2UMG64I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4LN
Intel