casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS1225AD-200IND+
Número de pieza del fabricante | DS1225AD-200IND+ |
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Número de parte futuro | FT-DS1225AD-200IND+ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1225AD-200IND+ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 200ns |
Tiempo de acceso | 200ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-EDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1225AD-200IND+ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS1225AD-200IND+-FT |
MR256A08BCYS35
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BCYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR4A08BCYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR4A08BYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A16ATS35C
NXP USA Inc.
MR0A08BCSO35
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BSO35
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BSO35R
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BCSO35
Everspin Technologies Inc.
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL050TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
Intel
EP2AGZ350FH29I4N
Intel
5SGSED6N1F45I2N
Intel
XC5VFX130T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
EPF10K70RC240-3N
Intel
5AGZME1H3F35C4N
Intel