casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MR0A08BSO35R
Número de pieza del fabricante | MR0A08BSO35R |
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Número de parte futuro | FT-MR0A08BSO35R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MR0A08BSO35R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | RAM |
Tecnología | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Tamaño de la memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 35ns |
Tiempo de acceso | 35ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 32-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 32-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR0A08BSO35R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MR0A08BSO35R-FT |
IDT71024S15YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20TY
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20TY8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20TYI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20TYI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71124S12Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel