casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / CSD87333Q3DT
Número de pieza del fabricante | CSD87333Q3DT |
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Número de parte futuro | FT-CSD87333Q3DT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NexFET™ |
CSD87333Q3DT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Característica FET | Logic Level Gate, 5V Drive |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 15A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.3 mOhm @ 4A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 662pF @ 15V |
Potencia - max | 6W |
Temperatura de funcionamiento | 125°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-VSON (3.3x3.3) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD87333Q3DT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CSD87333Q3DT-FT |
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