casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / CM100E3U-24H
Número de pieza del fabricante | CM100E3U-24H |
---|---|
Número de parte futuro | FT-CM100E3U-24H |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IGBTMOD™ |
CM100E3U-24H Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo IGBT | - |
Configuración | Single |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1200V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100A |
Potencia - max | 650W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 100A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1mA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 15nF @ 10V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CM100E3U-24H Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CM100E3U-24H-FT |
APTGV75H60T3G
Microsemi Corporation
BSM100GAL120DLCKHOSA1
Infineon Technologies
BSM100GB120DLCHOSA1
Infineon Technologies
BSM100GB120DLCKHOSA1
Infineon Technologies
BSM100GB120DN2HOSA1
Infineon Technologies
BSM100GB120DN2KHOSA1
Infineon Technologies
BSM100GB170DLCHOSA1
Infineon Technologies
BSM100GB170DN2HOSA1
Infineon Technologies
BSM100GD120DLCBOSA1
Infineon Technologies
BSM100GD120DN2BOSA1
Infineon Technologies
A3P030-QNG68
Microsemi Corporation
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XC2V80-4FGG256C
Xilinx Inc.
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
5SEE9F45I3N
Intel
LAE3-35EA-6LFN672E
Lattice Semiconductor Corporation