casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM100GB170DN2HOSA1
Número de pieza del fabricante | BSM100GB170DN2HOSA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BSM100GB170DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM100GB170DN2HOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Configuración | Half Bridge |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1700V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 145A |
Potencia - max | 1000W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 100A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1mA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 16nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM100GB170DN2HOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSM100GB170DN2HOSA1-FT |
APTGT150DA170G
Microsemi Corporation
APTGT150DA60TG
Microsemi Corporation
APTGT150DU170G
Microsemi Corporation
APTGT150DU60TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK120TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT200A60TG
Microsemi Corporation
APTGT200DA170D3G
Microsemi Corporation
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
5SGXMA7N2F45I2LN
Intel
EP4CGX15BF14A7N
Intel
XC5VLX155-3FFG1153C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD9A5U19C7N
Intel
EPF10K50VBC356-3
Intel