casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM100GD120DN2BOSA1
Número de pieza del fabricante | BSM100GD120DN2BOSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSM100GD120DN2BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM100GD120DN2BOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuración | Three Phase Inverter |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1200V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 150A |
Potencia - max | 680W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 100A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 2mA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 6.5nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM100GD120DN2BOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSM100GD120DN2BOSA1-FT |
APTGT150DU170G
Microsemi Corporation
APTGT150DU60TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK120TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT200A60TG
Microsemi Corporation
APTGT200DA170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200DA60TG
Microsemi Corporation
APTGT200SK120D3G
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-3N
Intel
ICE40HX1K-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208I
Microsemi Corporation
10AX048H2F34I2SG
Intel
5SGSED6N2F45I3L
Intel
A1010B-PL44C
Microsemi Corporation
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
EP1AGX20CF780I6
Intel
EP1AGX60DF780I6N
Intel