casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM100GB120DN2KHOSA1
Número de pieza del fabricante | BSM100GB120DN2KHOSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSM100GB120DN2KHOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM100GB120DN2KHOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuración | Half Bridge |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1200V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 145A |
Potencia - max | 700W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 100A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 2mA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 6.5nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM100GB120DN2KHOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSM100GB120DN2KHOSA1-FT |
APTGT150DA120TG
Microsemi Corporation
APTGT150DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT150DA170G
Microsemi Corporation
APTGT150DA60TG
Microsemi Corporation
APTGT150DU170G
Microsemi Corporation
APTGT150DU60TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK120TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK60TG
Microsemi Corporation
XC2S150E-6FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX75-3FGG676I
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EP3SL70F484C4N
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