casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK9M7R2-40EX
Número de pieza del fabricante | BUK9M7R2-40EX |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BUK9M7R2-40EX |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK9M7R2-40EX Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 70A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 19.7nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2567pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 79W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | LFPAK33 |
Paquete / Caja | SOT-1210, 8-LFPAK33 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9M7R2-40EX Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK9M7R2-40EX-FT |
NP35N04YUG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP74N04YUG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP75N04YUG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP75P03YDG-E1-AY
Renesas Electronics America
MTM761110LBF
Panasonic Electronic Components
FK3P02110L
Panasonic Electronic Components
FJ3P02100L
Panasonic Electronic Components
FK6K02010L
Panasonic Electronic Components
SK8403180L
Panasonic Electronic Components
SK830321KL
Panasonic Electronic Components
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel