casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FK6K02010L
Número de pieza del fabricante | FK6K02010L |
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Número de parte futuro | FT-FK6K02010L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FK6K02010L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.5A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.5 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1730pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 700mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | WSMini6-F1-B |
Paquete / Caja | 6-SMD, Flat Leads |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FK6K02010L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FK6K02010L-FT |
2SK2943
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2SK3003
Sanken
2SK3004
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M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
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