casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NP35N04YUG-E1-AY
Número de pieza del fabricante | NP35N04YUG-E1-AY |
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Número de parte futuro | FT-NP35N04YUG-E1-AY |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NP35N04YUG-E1-AY Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 35A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 17.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2850pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1W (Ta), 77W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-HSON |
Paquete / Caja | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP35N04YUG-E1-AY Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NP35N04YUG-E1-AY-FT |
EKI10198
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EKI10300
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XCS40-4BG256C
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XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
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