casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FJ3P02100L
Número de pieza del fabricante | FJ3P02100L |
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Número de parte futuro | FT-FJ3P02100L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FJ3P02100L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.4A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.5 mOhm @ 3.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.05V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3000pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 3-PMCP |
Paquete / Caja | 3-SMD, Non-Standard |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJ3P02100L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FJ3P02100L-FT |
2SK2848
Sanken
2SK2943
Sanken
2SK3003
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XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
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10AX090N4F40I3LG
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EP2C20Q240C8N
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