casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK9M53-60EX
Número de pieza del fabricante | BUK9M53-60EX |
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Número de parte futuro | FT-BUK9M53-60EX |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK9M53-60EX Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 17A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 683pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 36W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | LFPAK33 |
Paquete / Caja | SOT-1210, 8-LFPAK33 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9M53-60EX Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK9M53-60EX-FT |
RJK60S7DPK-M0#T0
Renesas Electronics America
RJK0391DPA-00#J5A
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Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
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EP4SE530H35C4N
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XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel