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Renesas Electronics America RJK60S7DPK-M0#T0

Name: RJK60S7DPK-M0#T0
Brand: Renesas Electronics America
SKU: RJK60S7DPK-M0#T0
Price: 5.6 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (203 reviews)

Número de pieza de MFG: RJK60S7DPK-M0#T0

Cantidad disponible: 12390 Piezas

Precio de referencia: USD 5.6

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fabricante: Renesas Electronics America

Breve descripción: - MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: RJK60S7DPK-M0#T0.pdf

RJK60S7DPK-M0#T0 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	RJK60S7DPK-M0#T0
Número de parte futuro	FT-RJK60S7DPK-M0#T0
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
RJK60S7DPK-M0#T0 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	30A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Vgs (Max)	+30V, -20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2300pF @ 25V
Característica FET	Super Junction
Disipación de potencia (max)	227.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-3PSG
Paquete / Caja	TO-3P-3, SC-65-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RJK60S7DPK-M0#T0 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	RJK60S7DPK-M0#T0-FT

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