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NXP USA Inc. BUK9E6R1-100E,127

Name: BUK9E6R1-100E,127
Brand: NXP USA Inc.
SKU: BUK9E6R1-100E,127
Availability: InStock
Rating: 4.5 (555 reviews)

Número de pieza de MFG: BUK9E6R1-100E,127

Cantidad disponible: 82050 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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fabricante: NXP USA Inc.

Breve descripción: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: BUK9E6R1-100E,127.pdf

BUK9E6R1-100E,127 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	BUK9E6R1-100E,127
Número de parte futuro	FT-BUK9E6R1-100E,127
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchMOS™
BUK9E6R1-100E,127 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	120A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.9 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	133nC @ 5V
Vgs (Max)	±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	17460pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	349W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	I2PAK
Paquete / Caja	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BUK9E6R1-100E,127 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	BUK9E6R1-100E,127-FT

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