casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK9E1R8-40E,127
Número de pieza del fabricante | BUK9E1R8-40E,127 |
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Número de parte futuro | FT-BUK9E1R8-40E,127 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BUK9E1R8-40E,127 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 16400pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 349W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | I2PAK |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9E1R8-40E,127 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK9E1R8-40E,127-FT |
PSMN3R9-60XSQ
NXP USA Inc.
PSMN4R6-100XS,127
NXP USA Inc.
PSMN5R0-100XS,127
NXP USA Inc.
PSMN5R6-100XS,127
NXP USA Inc.
PSMN7R0-100XS,127
NXP USA Inc.
PSMN7R6-60XSQ
NXP USA Inc.
PSMN8R5-100XSQ
NXP USA Inc.
PSMN9R5-100XS,127
NXP USA Inc.
PMFPB6532UP,115
NXP USA Inc.
PMFPB6545UP,115
NXP USA Inc.
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation