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NXP USA Inc. PSMN7R6-60XSQ

Name: PSMN7R6-60XSQ
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PSMN7R6-60XSQ
Availability: InStock
Rating: 4.5 (655 reviews)

Número de pieza de MFG: PSMN7R6-60XSQ

Cantidad disponible: 43880 Piezas

Precio de referencia: USD 0

Nuestro precio: Tenemos un gran descuento, contáctenos

Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: NXP USA Inc.

Breve descripción: - MOSFET N-CH 60V TO220AB

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: PSMN7R6-60XSQ.pdf

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Número de pieza del fabricante	PSMN7R6-60XSQ
Número de parte futuro	FT-PSMN7R6-60XSQ
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
PSMN7R6-60XSQ Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	51.5A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.6V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	38.7nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2651pF @ 30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	46W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220F
Paquete / Caja	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PSMN7R6-60XSQ Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	PSMN7R6-60XSQ-FT

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