casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PSMN7R0-100XS,127
Número de pieza del fabricante | PSMN7R0-100XS,127 |
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Número de parte futuro | FT-PSMN7R0-100XS,127 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN7R0-100XS,127 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 55A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 121nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6686pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 57.7W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220F |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN7R0-100XS,127 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PSMN7R0-100XS,127-FT |
NVMFS6B03NT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B03NT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B03NWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B03NWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B05NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B05NLT3G
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NVMFS6B05NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B05NLWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B05NT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B05NT3G
ON Semiconductor
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel