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BSO615CGHUMA1 Image

Infineon Technologies BSO615CGHUMA1

Número de pieza de MFG
BSO615CGHUMA1
Cantidad disponible
91250 Piezas
Precio de referencia
USD 0.365784
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
SIPMOS® MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-BSO615CGHUMA1
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie SIPMOS®
BSO615CGHUMA1 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N and P-Channel
Característica FET Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3.1A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 22.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 380pF @ 25V
Potencia - max 2W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor PG-DSO-8
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSO615CGHUMA1 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto BSO615CGHUMA1-FT

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