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NXP USA Inc. PMDPB56XN,115
- Número de pieza de MFG
- PMDPB56XN,115
- Cantidad disponible
- 96070 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0
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- Fecha de envío
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- fabricante
- NXP USA Inc.
- Breve descripción
- - MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- PMDPB56XN,115.pdf
PMDPB56XN,115 Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | PMDPB56XN,115 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-PMDPB56XN,115 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| PMDPB56XN,115 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 73 mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 170pF @ 15V |
| Potencia - max | 510mW |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caja | 6-UDFN Exposed Pad |
| Paquete del dispositivo del proveedor | DFN2020-6 |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| PMDPB56XN,115 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | PMDPB56XN,115-FT |
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