casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / NTHD5903T1G
Número de pieza del fabricante | NTHD5903T1G |
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Número de parte futuro | FT-NTHD5903T1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTHD5903T1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.4nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Potencia - max | 1.1W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SMD, Flat Lead |
Paquete del dispositivo del proveedor | ChipFET™ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTHD5903T1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NTHD5903T1G-FT |
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