casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / ECH8601M-TL-H

| Número de pieza del fabricante | ECH8601M-TL-H |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-ECH8601M-TL-H |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| ECH8601M-TL-H Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Característica FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 24V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
| Potencia - max | - |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caja | 8-SMD, Flat Lead |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 8-ECH |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| ECH8601M-TL-H Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | ECH8601M-TL-H-FT |

VEC2616-TL-W-Z
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