casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / PMDPB28UN,115
Número de pieza del fabricante | PMDPB28UN,115 |
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Número de parte futuro | FT-PMDPB28UN,115 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMDPB28UN,115 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37 mOhm @ 4.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 265pF @ 10V |
Potencia - max | 510mW |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-UDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | DFN2020-6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMDPB28UN,115 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PMDPB28UN,115-FT |
NTHC5513T1
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