casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / PMDPB58UPE,115
Número de pieza del fabricante | PMDPB58UPE,115 |
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Número de parte futuro | FT-PMDPB58UPE,115 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMDPB58UPE,115 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 804pF @ 10V |
Potencia - max | 515mW |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-UDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-HUSON-EP (2x2) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMDPB58UPE,115 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PMDPB58UPE,115-FT |
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