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Infineon Technologies BSO612CVGHUMA1

Name: BSO612CVGHUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSO612CVGHUMA1
Price: 0.356048 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (278 reviews)

Número de pieza de MFG: BSO612CVGHUMA1

Cantidad disponible: 74560 Piezas

Precio de referencia: USD 0.356048

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: SIPMOS® MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: BSO612CVGHUMA1.pdf

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BSO612CVGHUMA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	BSO612CVGHUMA1
Número de parte futuro	FT-BSO612CVGHUMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	SIPMOS®
BSO612CVGHUMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N and P-Channel
Característica FET	Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 20µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	15.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	340pF @ 25V
Potencia - max	2W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-DSO-8
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSO612CVGHUMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	BSO612CVGHUMA1-FT

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