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Rohm Semiconductor BSM300D12P2E001

Número de pieza de MFG
BSM300D12P2E001
Cantidad disponible
63270 Piezas
Precio de referencia
USD 537.096
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Fecha de envío
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fabricante
Rohm Semiconductor
Breve descripción
- MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante BSM300D12P2E001
Número de parte futuro FT-BSM300D12P2E001
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
BSM300D12P2E001 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET Silicon Carbide (SiC)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 68mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 35000pF @ 10V
Potencia - max 1875W
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / Caja Module
Paquete del dispositivo del proveedor Module
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSM300D12P2E001 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto BSM300D12P2E001-FT

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