casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / BAT62E6327HTSA1
Número de pieza del fabricante | BAT62E6327HTSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BAT62E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAT62E6327HTSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky - 2 Independent |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 40V |
Actual - max | 20mA |
Capacitancia a Vr, F | 0.6pF @ 0V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | - |
Disipación de potencia (max) | 100mW |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | TO-253-4, TO-253AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SOT143-4 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT62E6327HTSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAT62E6327HTSA1-FT |
MA4E1338E1-1068T
M/A-Com Technology Solutions
MA4E2072M-1068T
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MA4E2200E1-1068T
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MA4P7441F-1091T
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BAR 88-07LRH E6327
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BAR 88-098LRH E6327
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BAR 88-099LRH E6327
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BAR 90-07LRH E6327
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BAR 90-098L4 E6327
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LFXP3C-5T100C
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XC2V40-6FGG256C
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XC7K410T-2FBV676I
Xilinx Inc.
A3P600-1FG484I
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A3PE1500-2FGG484
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100T
Microsemi Corporation
EP3C10U256A7N
Intel
10AX027E4F29I3SG
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