casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / BAR 90-098L4 E6327
Número de pieza del fabricante | BAR 90-098L4 E6327 |
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Número de parte futuro | FT-BAR 90-098L4 E6327 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAR 90-098L4 E6327 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | PIN - 2 Independent |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 80V |
Actual - max | 100mA |
Capacitancia a Vr, F | 0.35pF @ 1V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 800 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Disipación de potencia (max) | 250mW |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | 4-XFDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TSLP-4-7 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR 90-098L4 E6327 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAR 90-098L4 E6327-FT |
BAP50-03,135
NXP USA Inc.
BAP70-03,115
NXP USA Inc.
BAP50-03,115
NXP USA Inc.
BA591,135
NXP USA Inc.
BAP64-03,115
NXP USA Inc.
BAP65-03,115
NXP USA Inc.
BAP1321-03,115
NXP USA Inc.
BAP63-03,115
NXP USA Inc.
BAP64-04W,115
NXP USA Inc.
BAP51-06W,115
NXP USA Inc.
XC7K325T-1FBG676I
Xilinx Inc.
AGLN020V5-CSG81I
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
APA150-TQ100
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U1F45E1SG
Intel
EP1S30F780C6
Intel
EP1C12Q240C7
Intel