Número de pieza del fabricante | B4S-G |
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Número de parte futuro | FT-B4S-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
B4S-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 400V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 800mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 800mA |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-269AA, 4-BESOP |
Paquete del dispositivo del proveedor | MBS |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B4S-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | B4S-G-FT |
GBJ2506
Diodes Incorporated
GBJ2510
Diodes Incorporated
GBJ6005
Diodes Incorporated
GBJ601
Diodes Incorporated
GBJ602
Diodes Incorporated
GBJ604
Diodes Incorporated
GBJ606
Diodes Incorporated
GBJ610
Diodes Incorporated
GBJ802
Diodes Incorporated
GBJ804
Diodes Incorporated
LCMXO2280E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC3S400A-4FG320I
Xilinx Inc.
A1440A-1VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K40-2DQI
Microchip Technology
EP1K50FC484-1
Intel
EP20K160EFC484-1
Intel
EP4S100G4F45I2
Intel
XC5VLX110T-2FF1738C
Xilinx Inc.
EP1AGX60DF780C6N
Intel