Número de pieza del fabricante | GBJ606 |
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Número de parte futuro | FT-GBJ606 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ606 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 6A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 3A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBJ |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ606 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ606-FT |
KBP2005G
Diodes Incorporated
KBP208G
Diodes Incorporated
KBP08G
Diodes Incorporated
KBP10G
Diodes Incorporated
KBP01G
Diodes Incorporated
GBU801
Diodes Incorporated
GBU1006
Diodes Incorporated
GBU608
Diodes Incorporated
GBU802
Diodes Incorporated
GBU1004
Diodes Incorporated
XC6SLX4-3TQG144I
Xilinx Inc.
A1225A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC4005-5PQ208C
Xilinx Inc.
AFS600-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMB6R3F43C2LN
Intel
EP3SE110F1152C3N
Intel
XC2VP30-5FFG1152I
Xilinx Inc.
EPF8636ALC84-4N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel