Número de pieza del fabricante | GBJ2506 |
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Número de parte futuro | FT-GBJ2506 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ2506 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 25A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.05V @ 12.5A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBJ |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2506 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ2506-FT |
KBP204G
Diodes Incorporated
KBP210G
Diodes Incorporated
KBP201G
Diodes Incorporated
KBP04G
Diodes Incorporated
KBP202G
Diodes Incorporated
KBP06G
Diodes Incorporated
KBP2005G
Diodes Incorporated
KBP208G
Diodes Incorporated
KBP08G
Diodes Incorporated
KBP10G
Diodes Incorporated
AT6002A-2AC
Microchip Technology
XC2VP30-6FG676I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256I
Microsemi Corporation
MPF300TL-FCG484E
Microsemi Corporation
5AGXMA7D4F27C5N
Intel
LFE2M35SE-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F324C6N
Intel
EPF10K30RI208-4
Intel
EP4SGX290FF35I3
Intel